GaAs/AlAs/GaAs氧化前后的微结构表征

摘要：

研究了GaAs/AlAs/GaAs三层膜氧化前后成分和微结构的变化.对GaAs/AlAs/GaAs利用横向氧化的方式得到了GaAs/Al<,2>O<,3>/GaAs薄膜,利用X射线小角反射和高角衍射技术进行了微结构表征,结果表明,氧化前,GaAs/AlAs/GaAs结构中,AlAs层与表面GaAs之间存在着一层11nm的均匀过渡层,而且由于掺入了少量的In,有4nm的AlAs层的平均原子密度减少,利用横向氧化的方式使得AlAs完全氧化为Al<,2>O<,3>,而且与氧化前相比,减少了AlAs层与表面GaAs之间过渡层的厚度与粗糙度.

关键词： GaAs/AlAs/GaAs 氧化 微结构 半导体薄膜 X射线衍射

作者: 王勇 贾海强 王文充 刘翠秀 陈向明 麦振洪 郑文莉 贾全杰 姜晓明

作者单位: 中国科学物理研究所凝聚态物理中心(北京) 中国科学院高能物理研究所同步辐射实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 71-73

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）