RTA对氮化硅薄膜发光光谱的影响

摘要：

在5.0eV的激光激发下,在室温下富硅的LPCVD氮化硅薄膜可发射六个PL峰,其峰位位置分别为2.97,2.77,2.55,2.32,2.10和1.9eV.经900~1100℃在N<,2>气氛下快速退火(RTA)处理后,样品的六个PL峰变为3.1,3.0,2.85,2.6,2.36,2.2eV.本文对退火前后PL峰的产生和变化机制进行了初步探讨.

关键词： LPCVD 氮化硅薄膜 快速退火(RTA) 化学气相淀积

作者: 刘渝珍 石万全 赵玲莉 孙宝银 叶甜春

作者单位: 中国科学院研究生院(北京) 中国科学院微电子研究中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 67-69

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）