热退火中横向扩散对InAs/GaAs量子点发光特性的研究

摘要：

系统地研究了快速热退火对带有3个纳米In<,x>Ga<,1-x>As(x=0,0.1,0.2)盖层的3纳米主高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的.但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分.我们的实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用.另外,我们在较高的退火温度观测到InGaAs的发光峰.

关键词： InAs/GaAs量子点 InGaAs盖层 快速热退火 横向扩散 半导体薄膜检测

作者: 张金福 刘会云 许波 刘峰奇 梁基本 王占国

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料开发实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 47-49

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）