氧压对PLD法硅上生长c轴取向LiNbO<,3>晶体薄膜的影响

摘要：

采用脉冲激光沉积法(PLD)在Si衬底上生长c轴取向LiNbO<,3>(LN)晶体薄膜,研究氧气压强对薄膜质量的影响,并且生长出了安全c轴取向的LN晶体薄膜.

关键词： 脉冲激光沉积法 晶体薄膜 氧气压强

作者: 王新吕 叶志镇 何军辉 赵炳辉 黄靖云

作者单位: 浙江大学硅材料国家重点实验室(浙江杭州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 17-19

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）