快速热处理对应变InGaAs/GaAs单量子阱激光二极管电子发射和DX中心的影响

摘要：

本文主要研究了分子束外延(MBE)生长的应变In<,0.2>Ge<,0.8>As/GaAs折射率梯度变化,异质结单量子阱激光二极管的快速热处理(RTA)效应.

关键词： 单量子阱激光二极管 快速热处理 分子束外延生长 折射率梯度

作者: 张砚华 卢励吾

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学开放实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 9-11

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）