MBE制备Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂异质结构

摘要：

本文用GEN-ⅡMBE设备生长Al<,x>Ga<,1-x>As/GaAs调制掺杂结构材料,得到了高质量的材料,并用范德堡法、电化学C-V法和PL谱法研究了该材料的性能.

关键词： 单晶薄膜生长 衬底片 调制掺杂结构 MBE

作者: 谢自力 邱凯 尹志军 方晓华 陈建炉 蒋朝辉

作者单位: 南京电子器件研究所(江苏南京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

页码: 5-6

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）