基于硅衬底片上螺旋电感的研究

摘要：

本文探讨了标准CMOS工艺条件下片上螺旋电感的物理模型和各种损耗机制,采用了若干简化的规则来设计电感的尺寸,从而在硅片的面积、自谐振频率和品质因子之间找到一种较好的平衡,并对应用在2.4GHz低噪声放大器模块中的片上螺旋电感进行了模拟仿真,获得较高的Q值.

关键词： CMOS 射频集成电路 片上螺旋电感

作者: 邓赟 王文骐 吴宾 岳喜成

作者单位: 上海大学通信与信息工程学院(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 2002海峡两岸三地无线科技研讨会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 223-225

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）