热处理对碳化硅薄膜结构和性能的影响
以高纯碳化硅块体为溅射靶、单面抛光的Si(100)片和单晶NaCl为基片,采用射频溅射方法来制备无定形碳化硅薄膜.通过对沉积在NaCl基底上碳化硅粉体的DTA热分析来确定薄膜热处理温度温度,然后将薄膜在真空状态下进行热处理.DTA曲线表明沉积在NaCl单晶上的无定形碳化硅粉体晶化峰为1150℃热处理并未获得晶态薄膜,但已足够引起膜内碳原子迁移和Si-C键合的改善,通过HREM还观察到1150℃热处理试样中膜/基界面形成了超晶格.Nano Indenter Ⅱ显微力学探针证实了这种结构上的改变导致薄膜显微硬度的大大提高,从未处理薄膜样的9.4GPa提高到1150℃热处理样的28.2GPa.表明通过热处理工艺可以获得高质量的碳化硅薄膜.
碳化硅薄膜 热处理 膜结构 显微硬度 热物性 射频溅射
彭晓峰 乐军 章俞之 宋力昕 胡行方
中国科学院上海硅酸盐研究所高性能陶瓷材料和超微结构国家重点实验室(上海)
国内会议
黄山
中文
434-438
2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）