体硅、SOI及DSOI MOSFET器件级电、热分析

摘要：

本文在半导体电力学方程的基础上简化得到了器件数值模拟的数学模型,模拟获得了各种电学参数的分布,并结合简化热阻方程,对体硅、SOI及DSOI MOSFET的温度场进行了模拟.

关键词： 半导体器件 内部温度场 数值模拟 电学参数 热分析

作者: 梁新刚 刘宏伟

作者单位: 清华大学工程力学系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国工程热物理学会传热传质学学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 597-600

在线出版日期: 2002-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）