关键词： 优化生长 HFET InGaAs 应变结构
作者: 邱凯 方小华 谢自力 王向武 陈建炉
作者单位: 南京电子器件研究所
会议类型: 国内会议
会议名称: 第五届全国分子束外延学术会议
会议地点: 昆明
会议语种:中文
页码: 207-207
在线出版日期: 1999-06-20（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）