会议专题

1.08μm InAs/GaAs量子点激光器光学特性研究

介绍了InAs/GaAs量子点激光器的材料生长,器件制备及其光学特性的研究。器件为条宽100μm,腔长1600μm未镀膜激器。室温阈值电流密度为221A/cm<”2>,激射波长为1.08μm,连续波工作最大光功率输出为2.74W(双面),外微分效率为88℅,经50℃,1000h老化,仍有>1.2W的光功率输出。

应变自组装量子点材料 量子点激光器 电致发光谱

钱家俊 叶小玲 徐波

中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室(北京)

国内会议

全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议

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243~247

2000-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)