EEPLD CMOS 工艺的研制

摘要：

研究人员开发了一种新型的CMOS工艺技术，实现了在CMOSIC制造中嵌入EEPROM的制造技术。此新工艺制造的是双层多晶硅的EEPLD，与传统的双层多晶硅EEPROM的工艺相比，减少了20的工序。采用80埃的超薄栅隧道氧化层。用这种技术制造的EEPROM存贮单元，隧道窗口为1.4×1.4um2经过100万次擦写试验，性能仍然良好。单片集成电路成品率达90。

关键词： EEPLD EEPROM 隧道氧化层 隧道窗口 浮栅 嵌入

作者: 徐征 陶建中

作者单位: 华晶中央研究所(无锡)

会议类型: 国内会议

会议名称: 全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 245～248

在线出版日期: 1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）