掺磷纳米硅薄膜的电导特性

摘要：

用等离子增强化学汽相淀积(PECVD)法实现了纳米硅(nc-Si:H)薄膜的磷掺杂.磷掺杂样品的电导在10<”-1>-10<”1>Ω<-1>cm<”-1>之间,比本征纳米硅样品提高两个数量级.同时改变掺磷浓度可以控制电导的改变.一组掺杂纳米硅样品电导的温度曲线表明:存在于非晶硅中的温度拐点消失,电导激活能进一步下降.结合磷掺杂纳术硅薄膜的结构,用异质结量子点模型对磷掺杂nc-Si:H薄膜的传导机制进行了解释.

关键词： 异质结量子点模型 纳米硅薄膜 磷掺杂

作者: 刘明 王子欧 何宇亮

作者单位: 中科院微电子中心 北京航空航天大学物理系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第四届全国微米/纳米技术学术会议

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 345-347

在线出版日期: 2000-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）