基区重掺杂禁带变窄的不均匀性对Si／SiGe／Si HBT基区渡越时间的影响*

摘要：

由于发射结（EB结）价带存在着能量差△Ev，电流增益B不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定，给HBT设计带来了更大自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析，可增加基区浓度，但基区重掺杂导致禁带变窄，禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加，迟化了频率特性，而且在低温下更严重。

关键词： 异质结 晶体管 基区渡越时间

作者: 张万荣 李志国 穆甫臣 孙英华 郭伟玲 程尧海 陈建新 沈光地

作者单位: 工业大学电子工程系(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第四届青年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 395～398

在线出版日期: 1998-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）