研究GeSi/Si多层异质外延载流浓度分布的电化学C-V方法

摘要：

通过关验定了一种与Ge<,x>Si<,1-x>合金表面具有良好电化学界面的电解液，利用电化学C-V方法研究了多层Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质外延材料的载流子浓度纵向分布。实验结果表明：采用这种电解液，利用电化学C-V载流子浓度纵向分布测量仪检测Ge<,x>Si<,1-x>/Si异质材料的载流子浓度纵向分布，重复性好、可靠性高。

关键词： 异质材料 外延载流子 浓度分布 电化学C-V方法

作者: 张秀兰

作者单位: 中国科学院半导体研究所,半导体材料科学实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国固体薄膜学术会议

会议地点: 广西北海

会议语种:中文

页码: 105～107

在线出版日期: 2000-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）