低压低功耗集成电路:SOI技术的新机遇

该文较为详细地分析了在低电源电压条件下,薄膜全耗尽CMOS/SOI器件与体硅CMOS器件的热载流子效应、软失效、体效应及寄生电容等问题对电路性能的影响。SOI器件在低压低功耗领域的许多优势是体硅器件难以达到的,它有效地克服了体硅CMOS电路中的热载流子、软失效、速度低等问题。薄膜全耗尽CMOS/SOI技术是低压低功耗集成电路的理想技术,同时低压低功耗集成电路的飞速发展也为SOI技术提供了一个新的机遇。
陈珍系统 值班系统 徙置
张兴 王阳元
大学微电子学研究所
国内会议
北京
中文
173~175
1998-08-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)