化学机械抛光(CMP)技术在存储器硬盘抛光中的应用

摘要：

随着计算机磁头与磁盘间间隙的不断减小,硬盘表面要求超光滑.化学机械抛光是目前广泛接受的全局平面化技术.本文研究了镍磷敷镀的硬盘基片在胶体SiO<,2>抛光组合物中的抛光试验,Chapman MP2000<”+>表面形貌仪测得表面平均粗糙度(Ra)和波纹度(Wa)分别为0.55A及0.90A,为迄今报道的硬盘抛光的最低值.原子力显微(AFM)发现获得的基片表面非常光滑平整,表面近无划痕、凹坑、点蚀等表面缺陷.

关键词： 化学机械抛光 硬盘基片 胶体SiO<,2> 抛光液 硬盘抛光 存储器

作者: 雷红 雒建斌 潘国顺 屠锡富 方亮 司马能

作者单位: 清华大学摩擦学国家重点实验室(北京) 深圳开发磁记录有限公司(深圳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国摩擦学大会

会议地点: 兰州

会议语种:中文

页码: 856-860

在线出版日期: 2002-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）