硅衬底上GaN基LED的进展

摘要：

在硅衬底上外延GaN,提供了一种新的技术平台,能够加速氮化镓在光电子和微电子方面的应用进一步扩大.本文介绍在硅衬底上GaN基发光二极管研制方面的进展.

关键词： 硅衬底 GaN外延生长 LED 制作工艺

作者: 陆大成 中国科学院半导体研究所(北京)

作者单位: 福建福日科光电子有限公司(福州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 54-56

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）