GaN基高亮度蓝光LED材料的生长研究

摘要：

利用金属有机化合物气相外延(MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.X射线衍射(XRD)测量数据和模拟结果之间非常好的一致性证实了MQW层的高的晶体质量,光荧光谱的半高全宽(FWHM)只有124meV.通过优化搀杂比,获得了高达7”1017cm-3的空穴浓度.

关键词： InGaN MQW XRD MOVPE LED p型搀杂 蓝色发光二极管 GaN基材料 化合物半导体

作者: 郭文平 胡卉 韩彦军 孙长征 罗毅

作者单位: 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 40-42

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）