GaN基蓝、白光LED的老化特性

摘要：

本文研究对比了GaN基相同芯片制备的蓝光和白光LED的老化特性,同时也研究对比了Al<,2>O<,3>和SiC衬底GaN基蓝光LED老化特性.GaN基相同芯片的蓝光LED和白光LED的光衰相差不是很明显,这说明荧光粉本身的光衰明显比蓝光芯片的光衰小得多,研究发现台湾生产的Al<,2>O<,3>衬底蓝光LED的寿命比SiC衬底蓝光LED的寿命短得多,我们分析其原因主要是由于Al<,2>O<,3>衬底蓝光LED芯片的结构导致了在GaN缓冲层中的电流密度过大造成的.

关键词： 发光LED GaN基半导体 衬底材料 老化特性

作者: 刘学彦 赵成久 侯凤勤 蒋大鹏 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 申德振 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 范希武 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 中国科学院激发态物理开放实验室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 84-85

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）