n型接触层厚度对InGaN LED影响

摘要：

我们已针对不同n型GaN接触层厚度之InGaN蓝光LED作一研究.我们发现较薄的n型GaN接触层会导致薄膜中有较多的晶格缺陷存在,此种缺陷造成之蚀刻坑洞,在ICP处理后之n-GaN表面明显可见.并且此种缺陷会使得LED在逆向偏压下较早崩溃,且对LED之发光效率有极大之影响.此外,我们亦发现较厚的n型GaN接触层对于LED侧向光之引出,亦有所帮助.

关键词： 蓝光LED GaN半导体材料 接触层 制造工艺

作者: J.Ou F.C.Lee S.K.Lai M.J.Jou and B.J.Lee

作者单位: Epistar corporation,Hsinchu

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 61-63

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）