采用国产ICP设备制作GaN台面
本文给出了使用国产ICP设备制作GaN台面的实验结果,经过实验选定的工艺条件为:充气前真空度5×10<”-3>Pa;Ar流量60sccm;CCl<,2>F<,2>流量60sccm;ICP功率400W;RF功率100W;自偏压200V.在这样的条件下的刻蚀速度可达400nm/min,获得的GaN台面表面光亮、侧壁比较陡直,台面厚度大于0.7μm,并具有较好的重复性.采用国产ICPI设备可满足制作GaN LED芯片台面的要求,也可用于制作其它氮化物半导体电子器件.
ICP设备 GaN半导体材料 台面刻蚀
张万生 李云
信息产业部电子第十三研究所(石家庄) 河北立德电子有限公司(石家庄)
国内会议
青岛
中文
59-60
2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）