GaN基外延片中的硅扩散

摘要：

本文采用适合宽禁带材料的ECV设备测量了自己在进口MOCVD设备上生产的GaN基外延片的载流子浓度纵向分布.在此基础上,通过引入主扩散模型,对结果进行了高斯拟合,得出了硅在高温时(1030℃)在GaN中的扩散系数,并由此估算了硅向量子阱及p层的扩散宽度.

关键词： GaN基外延片 硅扩散 扩散系数 载流子浓度分布 量子阱 参数测试

作者: 方文卿 李述体 刘和初 江风益

作者单位: 南昌大学教育部发光材料与器件研究中心(南昌) 江西方大福科信息材料有限公司(南昌)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 49-53

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）