GaN基蓝光LED管芯的制作工艺技术研究

利用低压金属有机化合物气相外延(LP-MOVPE)设备获得了高质量的InGaN/GaN多量子阱(MQW)结构的蓝光发光二极管(LED)材料.在此基础上,通过优化p电极、感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀和n电极制作中的各项工艺参数,制作出了在正向电流为20mA时,工作电压为3.4-3.5V左右,峰值波长为470nm,输出功率为1.5mW的高亮度的蓝光LED.
蓝光发光二极管 LED管芯 GaN材料 制作工艺
韩彦军 薛松 吴桐 郭文平 罗毅
清华大学电子工程系集成光电子学国家重点实验室(北京)
国内会议
青岛
中文
43-45
2002-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)