不同Mg掺杂浓度Mg:GaN材料的特性研究

摘要：

对利用LP-MOCVD方法生长出的不同Mg掺杂浓度的Mg:GaN样品薄膜的发光特性进行研究.测试手段为光致荧光(PL)和喇曼散射光谱(RS).结果表明:随着Mg掺杂浓度的提高,Mg:GaN材料补偿增大,光致荧光谱红移;材料中的应力先随着掺杂浓度增大而增大,随后因为产生过多的缺陷应力被释放.

关键词： 化合物半导体 GaN材料 Mg掺杂浓度 光致荧光 喇曼散射光谱

作者: 周晓滢 郭文平 胡卉 罗毅

作者单位: 清华大学电子工程系,集成光电子学国家重点实验室(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 37-39

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）