AlGaInP四元系发光器件进展

摘要：

本文简要分析了AlGaInP四元系材料的MOCVD外延、高亮度发光二极管(HB-LED)、650-700nm可见光激光二极管(LD)、微腔共振半导体发光二极管(RCLED)、超辐射发光二极管(SLD)、光子循环半导体发光二极管(PRS-LED)、近红外激光二极管的进展和发展趋势.针对我国研发、产业化现状,提出了创立自主知识产权的对策.

关键词： 化合物半导体材料 四元系发光器件 发光二极管

作者: 黄柏标

作者单位: 山东华光光电子有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 15-17

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）