液相外延系统中O<,2>和H<,2>O对生长GaP:N材料的影响

摘要：

采用气相掺N，掺Zn过补偿液相外延工艺，以H<,2>为载气和保护气氛生长H<,2>为载气和保护气氛生长GaP:N时，当H<,2>中O<,2>和H<,2>O的含量过高时，外延片的光致发光谱中出现C-S峰，并且降低了外延片的含N量；外延片的电致发光光谱中出现一个较大的红峰，该峰是由Zn-O对引起的。

关键词： 液相外延生长 外延片 光致发光谱

作者: 李桂英 王亚非

作者单位: 北京师范大学分析测试中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 第七届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 厦门

会议语种:中文

页码: 59～61

在线出版日期: 2000-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）