碲镉汞薄膜的外延生长
碲镉汞（MCT）是一种重要的红外半导体材料。第二代热象仪-红外焦平面的制作需要性能优良的MCT薄膜：MCT薄膜的外延生长是发展红外焦平面的基础。该文简单介绍了采用液相外延（LPE）技术、分子束外延（MBE）技术和有机金属化学汽相沉积（MOCVD）技术生长MCT薄膜的情况，并将三种外延生长技术及所生长的MCT薄膜进行了简单的比较，还简单介绍了国内使用二种外延生长技术生长的MCT薄膜制作器件的情况，并简要讨论了MCT薄膜中存在的结构缺陷。
液相外延 分子束外延 有机金属化学汽相沉积 碲镉汞 衬底材料 结构缺陷
王跃 宋炳文
物理研究所,西北工业大学凝固技术国家重点实验室(西安) 物理研究所
国内会议
重庆
中文
473～478
1998-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）