液相外延Gd-Bi-Ga:YIG单晶薄膜

摘要：

该文介绍了PbO-bI<,2>O<,3>-B<,2>O<,3>熔剂中，在钆镓石榴石(3G)基片上，利用液相外延(LPE)等温浸渍技术，制备出了适用于静磁波器件的Gd-Bi-Ga:YIG单晶薄膜，研究了薄膜的损耗和温度特性，结果表明掺杂Gd-Bi-Ga:YIG的温度稳定性比纯YIG有明显提高（提高约15℅）：在4.5-6.5GH<,z>下的延迟线腔中测试，其最小插损为5-6dB，较好地满足了器件的要求，并对影响薄膜生长及性能因素作了分析讨论。

关键词： 液相外延 等温浸渍技术 薄膜生长

作者: 许小文 魏洪顼

作者单位: 中国西南应用磁学研究所(四川绵阳)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国微波磁学会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 17～18

在线出版日期: 2000-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）