超高亮度InGaN蓝、白光LED之碳化硅SiC与蓝宝石Al<,2>O<,3>底衬材料的探讨

摘要：

本文简要介绍了超高亮度InGaN蓝、白光LED发展及LED发光条件,重点从晶格匹配、材质导热性、封装散热、可靠性、抗ESD静电、封装结构等方面对LED衬底材料SiC与蓝宝石Al<,2>O<,3>做了探讨.

关键词： 发光LED 三元系化合物半导体 底衬材料 SiC 蓝宝石Al<,2>O<,3>

作者: 罗超帆

作者单位: 华刚国际

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国LED产业研讨与学术会议

会议地点: 青岛

会议语种:中文

页码: 72-80

在线出版日期: 2002-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）