硅衬底上发光二极管的进展

摘要：

本文简要介绍在硅衬底上InGaN和AlGaInP发光二极管研制方面的进展,包括用硅作LED衬底的优缺点、缓冲层技术,片键合技术的发展以及Si上GaN基和AlGaInP LED器件的结果.

关键词： LED 硅衬底 缓冲层技术 片键合技术

作者: 陆大成 中国科学院半导体研究所

作者单位: 福建福日科光电子有限公司

会议类型: 国内会议

会议名称: 海峡两岸第九届照明科技与营销研讨会

会议地点: 南京

会议语种:中文

页码: 17-21

在线出版日期: 2002-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）