沉积温度对CVD-ZnS性能影响的正电子湮没研究

摘要：

ZnS是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料.其制备方法有热压和化学气相沉积方法(CVD).本文主要介绍绍在不同沉积温度下利用CVD制备Zns,并采用正电子湮没技术研究了沉积温度对CVD-ZnS缺陷的影响.

关键词： ZnS材料 半导体光学材料 正电子湮没 沉积温度 化学气相沉积

作者: 焦春美 兰州大学物理科学与技术学院(兰州) 王宝义 魏龙 王天民 北京航空航天大学(北京)

作者单位: 中国科学院高能物理研究所,核分析技术重点实验室(北京) 兰州大学物理科学与技术学院(兰州)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国正电子谱学会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 51-53

在线出版日期: 2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）