慢正电子束研究Cu/6H-SiC(0001)结构所发现的双向相变

摘要：

本文用慢正电子束技术研究Cu/SiC结构的结果.用多普勒展宽能谱线形S参数测量,从10K-300K改变样品的湿度测量不同温度的S-E曲线,发现在BK和245K时Cu/SiC结构存在双向相变的现象.

关键词： 慢正电子束 S-E曲线 相变 界面 半导体基底材料 Cu/SiC 多普勒展宽能谱

作者: 翁惠民 J.D.Zhang C.C.Ling C.D.Beling S.Feng

作者单位: 中国科技大学近代物理系(安徽合肥) Physics Department,The University of Hong Kong

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国正电子谱学会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 46-50

在线出版日期: 2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）