CVD生长金刚石膜正电子寿命分析

摘要：

通过热丝化学汽相沉积(CVD)技术工艺在Si(100)基底上制备的金刚石膜,使用美国ORTEC公司制造的正电子湮没寿命谱仪进行了测量分析,并采用PATFIT-88程序作了解谱计算.研究发现,在金刚石膜中微观缺陷的产生取决于薄膜生长过程的控制和基底表面局域生长环境的条件差异,3种寿命成分揭示了金刚石膜中存在的不同的结构状态.

关键词： 金刚石膜 化学气相沉积 正电子湮没寿命谱仪

作者: 刘存业 陈志谦 赵保刚 王玉 陈建勇

作者单位: 西南师范大学物理学系(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国正电子谱学会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 43-45

在线出版日期: 2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）