多孔硅薄层的正电子湮没寿命研究

摘要：

用阳极氧化法按不同条件制备的多孔硅,其薄层厚度仅为几十个纳米,远小于<”22>Na源的正电子平均射程,对于这样的薄层,发展了测定正电子湮没寿命并扣除基片贡献的方法确定其平均孔径大小和比表面积.本文并进而介绍求解固体薄层正电子湮没参数的普遍方法,提供测定多孔材料平均孔径大小和比表面积的一个新途径.

关键词： 正电子湮没寿命谱学 多孔硅 多孔材料 正电子湮没参数

作者: 李民 夏元复

作者单位: 南京大学物理系实验核物理研究室

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国正电子谱学会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 38-42

在线出版日期: 2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）