硼对单晶和多晶Ni<,3>Al合金3d电子的影响
用双探头符合技术正电子湮没辐射多普勒展宽装置研究硼在单晶和多晶Ni<,3>Al合金中的行为及其对合金中3d电子的影响,结果表明,Ni<,3>Al合金Ll<,2>结构中由六个Ni原子围成的八面体间隙的正电子的捕获势阱,当正电子被注入到Ni<,3>Al合金晶体后,绝大部分进入八面体间隙中,并主要与Ni原子的电子湮没,在单晶Ni<,3>Al合金中加入B元素,B原子占据Ll<,2>结构中的八面体间隙,被B原子占据了的八面体间隙对正电子的捕获率下降,导致正电子与Ni原子的3d电子湮没几率降低,多晶Ni<,3>Al合金的晶界缺陷的开空间较大,是正电子的深捕获势阱,多晶Ni<,3>Al合金中加入B元素,硼原子更容易偏聚到Ni<,3>Al合金的晶界缺陷上,导致晶界缺陷对正电子的束缚能降低,对电子的捕获率下降,进而提高了正电子在合金基体中与Ni原子的3d电子湮没几率.
Ni<,3>Al合金 微观缺陷 3d电子 正电子湮没 硼含量 多普勒展宽谱
邓文 中国科学院国际材料物理中心(沈阳) 黄宇阳 吴道宏 熊良钺 中国科学院国际材料物理中心(沈阳) 王淑荷 郭建亭
广西大学物理系(南宁) 中国科学院金属研究所(沈阳)
国内会议
宜昌
中文
22-26
2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）