正电子研究Ag离子注入SiO<,2>玻璃形成纳米晶粒缺陷及退火研究

摘要：

用正电子探测的方法检测Ag离子注入SiO<,2>玻璃样品,与基片进行比较.注入样品的缺陷导致了正电子湮灭参数的显著变化.用Nelt程序对湮没数据进行拟合,分析两组样品注入损伤的深度分布、缺陷对正电子的捕获系数.讨论不同剂量注入损伤缺陷的差别和它们在退火中的行为.结合光学透射率的变化,研究Ag离子注入SiO<,2>玻璃形成纳米颗粒的成核和生长过程.

关键词： 正电子 离子注入 纳米颗粒 透射率 晶粒缺陷

作者: 陈海波 蒋昌忠 梁波

作者单位: 武汉大学物理科学与技术学院(武汉)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国正电子谱学会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 79-80

在线出版日期: 2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）