介孔复合材料SiO<,2>/Ag的正电子谱分析的初步结果
本文首先介绍了有关介孔复合体这一凝聚态和材料科学的新兴课题的概况,以及正电子谱学作为研究材料缺陷的一种有效手段在探测介孔材料纳米量级微孔洞的应用.实验中首先对掺银多孔硅SiO<,2>/Ag样品进行了寿命谱的测量,并利用长寿命成分求解了样品的孔半径,得到较理想的结果.同时,测量了正电子在各样品中3γ湮没产额,并讨论了孔半径和样品掺银量对3γ湮没产额的影响以及不同退火环境对样品性质的影响.最后通过测量Doppler展宽谱并计算展宽线性能数S参数,分析了影响S参数的因素,并印证了寿命谱,3γ湮没份额等测量结果的可靠性.
介孔复合材料 正电子寿命谱 3γ湮没份额 S参数
韩荣典 白玉 范扬眉 周先意 翁惠民 叶邦角 张宪锋 石星军
中国科技大学近代物理系 青岛大学物理系
国内会议
宜昌
中文
59-65
2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）