电场、界面极化和自由体积孔穴尺寸对I<,3>的影响

摘要：

本文研究高分子材料的界面极化、自由体积孔穴尺寸和电场效应都是影响I<,3>的重要因素,三者间存在竞争关系,极性效应和大自由体积孔穴尺寸对I<,3>的影响大与电场效应.

关键词： 高分子材料 正电子湮没寿命谱 自由体积孔穴 界面极化 晶体缺陷

作者: 孙旭东 郑厚天 何宁德 杨志 王天民 郑小明 齐陈泽 浙江大学化学系

作者单位: 绍兴文理学院化学系 北京航空航天大学理学院 浙江大学化学系

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国正电子谱学会议

会议地点: 宜昌

会议语种:中文

页码: 98-101

在线出版日期: 2002-06-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）