纳米尺度的Ag(TCNQ)薄膜的电特性

摘要：

研究了金属有机电双稳薄膜材料Ag(TCNQ)在STM针尖下的电特性,观察到在纳米尺度下Ag(TCNQ)从高阻态跃迁到低阻态的微分负阻现象,阻态间的跃迁可以重复进行,其阈值电压比交叉电极”三明治”结构的情况要低得多.另外,研究了Ag(TCNQ)电存储特性,包括写入、读出和擦除特性,结果表明Ag(TCNQ)可以作为超高密度的随机存储器的材料.

关键词： 微分负阻 随机存储器 薄膜材料 电特性 纳米尺度

作者: 范智勇 陈国荣 莫晓亮 姚彦 杨剑 蔡亲佳 顾海华 华中一

作者单位: 复旦大学材料科学系(上海)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会五届三次理事会暨学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 5-7

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）