脉冲真空电弧离子源工艺参数对薄膜厚度分布的影响
薄膜厚度的均匀性是影响沉积方法应用的一个重要的因素.利用脉冲真空电弧离子镀技术在Si基片上沉积出类金刚石薄膜,采用轮廓仪对膜的厚度进行了测量,研究了不同工艺参数对薄膜均匀性的影响.实验结果表明:脉冲离子源阴极和基片的距离、主回路工作电压以及沉积频率对薄膜均匀性有不同程度的影响,根据分析结果,找出最佳工艺参数.通过比较两种离子源的结果表明:离子源结构对其镀膜均匀性有较大的影响.
厚度均匀性 类金钢不薄膜 薄膜厚度 真空电弧离子镀
李刚 蔡长龙 杭凌侠 严一心
西安工业学院光电科学与工程系(西安)
国内会议
北京
中文
67-70
2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）