硅尖上纳米金刚石膜场发射性质的研究

摘要：

本文采用热灯丝CVD法在硅尖上制备了纳米金刚石膜,并研究了硅尖上纳米金刚石膜的场发射性质.实验结果表明,硅尖上纳米金刚石膜的场发射特性与硅平观上生长的多晶金刚石膜比较,有了极大的提高.硅尖上纳米金刚石膜场发射开启电场最小为2.7V/μm,而多晶金刚石膜为4.5V/μm.利用电子隧穿模型对实验结果进行了理论分析,研究表明实验结果与理论分析相符合.

关键词： 纳米金刚石 电子场发射 发射性质

作者: 王蜀霞 王万录 廖克俊 朱亚波 方亮 王必本

作者单位: 重庆大学数理学院(重庆)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会五届三次理事会暨学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 23-25,29

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）