用残气谱研究HT-7超导托卡马克第一壁硼碳膜的吸氧性

摘要：

硼碳膜吸氧将导致真空室残气中水分压的降低,所以可以通过分析各种情况下真空室残气谱水分压的变化,来研究托卡马克第一壁硼碳膜的吸氧过程.残气谱分析表明硼化过程中,硼碳膜吸氧;各种等离子体轰击过程中硼碳膜吸氧;而没有等离子体轰击时如抽本底真空过程中,硼碳膜不吸氧.了解这些过程对合理使用膜有重要意义.

关键词： 硼碳膜 吸氧性 残气谱

作者: 方应翠

作者单位: 合肥工业大学机械与汽车学院真空教研室(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国真空学会五届三次理事会暨学术会议

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 73-75,87

在线出版日期: 2001-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）