ECR-PECVD制备的Si3N4簿膜的微结构研究

摘要：

利用TEM和PDS显微光度计研究了ECR-PECVD技术制备的Si<,3>N<,4>薄膜的微结构。结果表明：在较低沉积温度下，ECR-PECVD制备的Si<,3>N<,4>薄膜是一种纳米α-Si<,3>N<,4>薄膜,其晶粒粒度在14～29nm间，而且这种薄膜具有较好的表面平整度。

关键词： ECR-PECVD 制备 Si<,3>N<,4> 微结构 α-Si<,3>N<,4>

作者: 陈俊芳 任兆杏

作者单位: 师范大学物理系 科学院等离子体物理研究所(合肥)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国核学会核聚变与等离子体应用学术讨论会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 270～273

在线出版日期: 1998-07-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）