软恢复二极管新进展——扩散型双基区二极管

摘要：

本文介绍了一种采用扩散型双基区结构的快速软恢复二极管.二极管基区由传统的轻掺杂衬底基区N<”->与扩散形成的较重掺杂的N区(缓冲基区)两部分组成.实验结果表明,该二极管的反向恢复软度因子提高到了1.0左右.较传统的PIN二极管有了较大改善.

关键词： 二极管 软恢复 反向恢复 掺杂 软度因子

作者: 张海涛 张斌

作者单位: 清华大学电力电子厂(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 164-170

在线出版日期: 2002-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）