SiC肖特基二极管的特性研究

摘要：

通过氧化一刻蚀一沸水处理的方法(BW法)将欧姆接触合金温度从800℃-1200℃降到100℃下.本文在100℃以下制备了比较接触电阻ρ<,c>=5~8×10<”-3>Ω.cm<”2>的欧姆接触和理想因子n=1.20~1.25的SiC肖特基二极管.与欧姆接触采用950℃高温合金制备的P型6H-SiC肖特基二极管(B类样品)比较表明,后者较大的串联电阻大大地影响其电学特性.

关键词： 界面态 特征电阻 串联电阻 电离率 理想因子 肖特基二极管

作者: 罗小蓉 张波 李肇基

作者单位: 电子科技大学(成都)

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 152-155

在线出版日期: 2002-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）