单晶扩散型LDMOS特性分析
本文提出具有变掺杂结构的双RESURF单晶扩散型LDMOS.并借助二维器件模拟软件MEDICI,给出其表面电场的二维分布和整个结构的电场分布.对N型扩散区,变掺杂区的浓度,尺寸及位置进行优化设计,以获得较好的,折中的击穿电压和导通电阻.
高压功率集成器件 变掺杂结构 击穿电压 导通电阻
武洁 方健 李肇基
电子科技大学IC设计中心
国内会议
深圳
中文
99-103
2002-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)
高压功率集成器件 变掺杂结构 击穿电压 导通电阻
武洁 方健 李肇基
电子科技大学IC设计中心
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99-103
2002-11-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)