具有局域空穴槽结构的SOI LDMOS击穿机理

摘要：

本文通过分析具有局域空槽结构的SOI LDMOS在反偏时电荷和电场分布,指出束缚在空穴槽底部Si/SiO<,2>界面的反型层空穴是提高器件耐压的主要原因,据此提出界面电荷耐压模型,分析该结构的SOI LDMOS的击穿机理,并将解析结果与MEDICI的模拟结果进行比较,表明该模型能较好的解释该结构的击穿机理.

关键词： SOI LDMOS 击穿机理 界面电荷耐压模型 击穿电压

作者: 郭永芳 郭宇锋 李肇基 方健 朱刚

作者单位: 电子科技大学IC设计中心

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电力电子学会第八届学术年会

会议地点: 深圳

会议语种:中文

页码: 94-98

在线出版日期: 2002-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）