ＥＣＲ ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ法淀积非晶硅工艺的研究

摘要：

结合ＥＣＲ ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ法淀积器件介质光学膜的需要，对其淀积非晶硅的工艺进行了系统的研究，并对淀积的硅膜进行了光学性质和其它的物理性质的研究。

关键词： ＥＣＲ ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ法 非晶硅 透过率

作者: 谭满清

作者单位: 科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心(北京)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 458～459

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）