ＥＢ和光学混合光刻工艺技术

摘要：

论述了在同一衬底基片分别采用ＥＢ直写微经图形（深亚微米或纳米级图形）和光学光刻粗线条图形（几微米或几十微米的图形）的混合光刻工艺技术，以期达到提高ＥＢ在直写圆片中的生产效率，并以０．４μｍ栅条的ＧａＡｓ器件为例做了混合光刻的工艺实验，获得了良好的实验结果，提出了在混合光刻技术中对ＥＢ设备选择的判式。

关键词： ＥＢ 混合光刻 匹配

作者: 于向东 高贵芝

作者单位: 华晶电子集团公司(无锡)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 64～66

在线出版日期: 1999-11-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）